靶材信息

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数量

Ga:ZnO Al:ZnO CdSnO3 NiSnO3 CIGS MoSnO3 TiO2 SnO2

铟锡氧化物 (ITO) 是最常见的透明导电氧化物，以其优异的导电性和光学透明性而闻名。它能够在相对较低的温度下沉积，这也使其可以应用于多种基材，最常见的为玻璃。

ITO靶材通常由In2O3和SnO2的混合物组成，其中90:10的比例最为常见，因为它在透明性和导电性之间取得了良好的平衡。ITO靶材在未沉积的靶形态下呈浅黄色或淡绿色，而在薄膜形态下则是透明的。

ITO薄膜的常见用途

在商业产品应用中，ITO被广泛应用于触摸屏、显示器、太阳能电池及抗反射涂层。ITO薄膜具有极高的透明性，可以有效减少反射，例如在显示器上。此外，薄膜的电导性使其非常适合用于触摸屏，能够检测用户手指或触控笔在表面的定位。ITO薄膜也用于制造LED和太阳能电池的透明导电电极，可以高效捕获并传输电流，而不干扰光线的进入。

ITO薄膜的典型特性

ITO薄膜通常具有高透明性，可见光透过率约为80-90%。ITO薄膜的片阻抗通常在10-20欧姆/平方之间，厚度140-180纳米时，随着薄膜厚度的增加，该值会减小。通过改变靶材的成分，还可以调节ITO薄膜的光学和电学性能。例如，使用In-SnO2靶材一般能够生产出透明度更高、片阻抗更低的薄膜，常见的In2O3-SnO2靶材则相对略低。

ITO薄膜的典型沉积条件

ITO薄膜可以通过溅射技术沉积，沉积参数范围较宽。一般来说，溅射压力设定在0.1-1 mTorr之间，溅射功率在0.5-2 kW之间。沉积温度通常控制在室温到300°C之间，沉积速率一般约为0.5-2纳米/秒。

通过脉冲激光沉积的ITO薄膜典型沉积条件

ITO薄膜还可以通过脉冲激光沉积 (PLD) 方法进行沉积。在氧气压力为5-50 mTorr的情况下，氧气不足的薄膜可能呈灰色。ITO可在室温到400°C情况下沉积，这意味着可以在塑料、玻璃等基材上进行沉积。激光能量密度通常为0.75-1.5 J.cm-2。

相关产品：

Al: ZnO

ITO：从溅射靶材到智能设备

ITO简介

铟锡氧化物 (ITO) 在电子学中具有广泛的应用，源于其独特的光学和电学特性。ITO结合了锡氧化物的导电性和铟氧化物的透明性。接下来我们将探讨ITO的特性、参数及应用，从溅射靶材到智能手机。

首先，ITO具有高密度，达到6.8 g/cm³。对于含10wt%锡氧化物的溅射膜，其杨氏模量为116 GPa。此外，标准ITO的电导率约为1.3 x 10^4 S/cm。蚀刻方法多种多样，湿法蚀刻通常使用草酸，而等离子蚀刻则采用气体混合物。

Advanced Targets 产品页面

溅射ITO

ITO溅射靶材是许多应用中的关键。作为一种铟锡氧化物的复合材料，高品质靶材的密度超过99%。这确保了低电阻和高导电性以及强度。这样的靶材能够在较低温度下沉积，从而形成透明的导电薄膜，具有降低电阻和增强透射率的优点，以便在多种应用中使用。

ITO薄膜

使用ITO的设备

ITO薄膜具有出色的导电性、透明度、硬度和稳定性，使得其在液晶显示器、等离子显示器、OLED、触摸屏、太阳能电池等众多设备中被广泛应用。薄膜通过调节铟和锡的比例来调整光反射和电阻。

铟锡氧化物薄膜 (ITO薄膜) 是一种通过真空蒸发或溅射沉积制备的透明导电半导体薄膜。ITO薄膜不仅具有高电导性，还具有良好的可见光透过率。此外，它还展现出优良的机械硬度和良好的化学稳定性。因此，ITO薄膜在制造各种电子设备中得到了广泛应用。具体而言，它们在液晶显示器、等离子显示器、发光二极管显示器、触摸面板和太阳能电池中得到使用。此外，通过调整In2O3和SnO2的比例（通常为1:9），可以控制ITO薄膜的透射率和电阻。

 类似地，铟锡氧化物导电玻璃 (ITO玻璃) 是通过将ITO薄膜层沉积到含钠的玻璃或硅酸钠基玻璃上来获得的，常见的方法有溅射或蒸发。ITO玻璃广泛应用于电子显示中。对于LED，通常在OTG显示的光晶旁边使用硅醇涂层，以防止钠离子扩散到液晶中。因此，LED ITO玻璃的基材通常采用具有特征性的锡表面波纹的超浮法玻璃。

QS的ITO溅射靶材

ITO溅射靶材

此外，QS先进材料公司在ITO靶材的供应方面发挥着重要作用，为研究和半导体行业提供各种各样的溅射靶材。同时，他们还为ITO靶材提供不同的成型方法，包括喷涂、冷等静压、热等静压和湿法成型。因此，从QS获取这些靶材能高质量地生产ITO薄膜和ITO玻璃。

总结

总之，ITO在电子行业中扮演着至关重要的角色，从作为ITO溅射靶材到生产ITO薄膜和ITO玻璃，适用于一系列设备。QS先进材料公司作为一个可靠的供应商，提供全面的靶材选择，包括ITO，以满足研究和半导体制造的需求。

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